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WSN节点射频芯片中基于CMOS工艺的LDO设计

更新时间：2020-10-25 13:55:48 大小：18M 上传用户：sun2152查看TA发布的资源 标签：wsn射频芯片cmosldo 下载积分：1分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

随着信息时代的来临，无线传感网络（wSN，Wireless Sensor Network）因为其巨大的应用前景而受到学术界和工业界广泛的重视，被认为是二十一世纪产生巨大影响力的技术之一。射频前端模块作为无线传感网络节点的重要组成部分，具有较高的研究价值。对应用于射频前端中的稳压电源电路的研究同样具有一定的实际应用价值，在众多的电源管理技术中，LDO（Low Dropout Voltage Reg山o为其小面积、高电源抖制比、微功耗低噪声以及外围电路简单等优点，倍受人们关注，此外，LDO还具有较好的线性瞬态响应和负载瞬态响应特性。因此，LDO线性稳压器是一种比较好的选择

本论文首先对LDo线性稳压器进行概述和分类，系统介绍LDO的组成和工作原理，对LDO线性稳压器的性能影响因素进行了详细的分析，LDO电路采用018 m CMOS工艺流片。在介绍LDo原理及主要设计指标的基础上，详细论述了基于018 m CMOS工艺的LDO电路设计，包括带隙基准电路、误差放大器及LDO的补偿电路、功率管等部分。其中，针对带隙基准源的启动问题和LDO的稳定性作了重点研究，并给出合理的解决方案。文中给出了电路前仿真结果与分析、版图设计关键点和后仿真结果与分析。后仿真结果表明：电源电压2V到36V的变化范围内，输出电压稳定在1.80V；温度从40°C变化到85°C时，温度系数为5.6ppm°C；电源抑制比能达到60dB，满足设计指标要求

论文最后给出了LDO电路芯片的测试验证，测试结果表明：LDO基本达到设计指标，可以正常工作，但是其中带隙基准源在高压（3v以上）下不能完全正常工作。文中根据芯片测试结果对电路设计提出了改进方案，给出了后仿真结果并送交了流片，待流片回来后进一步测试验证


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