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功率器件高温特性与温度补偿技术设计.docx
资料介绍
功率器件高温特性与温度补偿技术设计
概述
功率器件的电气特性随温度变化而变化,高温特性影响变换器的效率和可靠性。理解功率器件的高温特性,采用温度补偿技术,可以保证变换器在宽温度范围内的稳定运行。在基于STM32G474的逆变器系统中,温度补偿技术可用于逆变器在全温度范围内的性能优化。本章系统阐述功率器件高温特性的变化规律、温度补偿方法及高温应用设计。
温度对器件特性的影响
导通特性变化
IGBT的导通压降Vce(sat)在低电流时具有负温度系数,在高电流时具有正温度系数。MOSFET的导通电阻Rds(on)具有正温度系数,温度升高时导通电阻增大。SiC MOSFET的导通电阻在高温下增大幅度比Si器件小,高温性能更优。
开关特性变化
温度升高时,IGBT的关断时间增加,拖尾电流增大,关断损耗增大。MOSFET的开关时间受温度影响较小,但导通电阻增大会影响开关过程中的电流变化率。SiC MOSFET的开关特性受温度影响较小,高温开关性能稳定。
阈值电压变化
IGBT和MOSFET的栅极阈值电压Vth随温度升高而降低,温度系数约为-4mV/°C至-8mV/°C。阈值电压降低可能导致器件在高温下误导通,需要采用负压关断或米勒钳位防止误导通。
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| 文件名 | 大小 |
| STM32G474逆变器_技术文件_1525_功率器件高温特性与温度补偿技术设计.docx | 38K |
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