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SJ2002-1981 CS32型N沟道结型场效应半导体对管

更新时间：2024-06-20 21:54:55 大小：163K 上传用户：xuzhen1查看TA发布的资源 标签：效应半导体对管 下载积分：2分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

SJ2002-1981 CS32型N沟道结型场效应半导体对管

1.本标准适用于（单片）CS32型N沟道结型场效应半导体对管（以下简称产品）。该产品主要用于电子设备放大电路中，

2.该产品除应符合本标准规定外，还应符合SJ 614-73《半导体三极管总技术条件》的规定。

3.产品的外形结构尺寸应符合规定的外形图（见附录 A）。

4.电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法应符合SJ 1949~1973-81《场效应半导体管测试方法》的规定。

5.环境试验后，按照序测量下列电参数：

（1）栅源短路时漏极电流Inss；

（2）棚源截止电压VGs（off>

（3）正向跨导9fs：

（4）棚源电压差！Vas，-Vas，l；

（5）栅极截止电流IGss

（6）栅源击穿电压V（BR）GSS其中Ipss、VGs（aff）、9is、IVas，-Vas，1的相对变化不得超过±30%，lGss、V（BR）Gss不得超过规范值。

6.短期寿命试验条件：Vos =-10V，Vos=0V，Ta =Tim

7.高温贮存试验条件：金属封装的产品按T；m=175± 3℃，陶瓷环氧封装和塑料封装的产品按Tim =125± 3 ℃进行。

8.短期寿命和高温贮存试验后，按下列标准考核。

（1）Inss、VGs（off）、9fs、{VGs，-VGs，|的相对变化不得超过±30%。

（2）IGss、V（BR）Gss、4|VGs，-VGs，1/AT（只在寿命试验中考核）的变化不得超过规范值。

9.本标准参数规范的仲裁条件

环境温度

650mmHg ~800mmHg

25± 2 ℃；相对湿度

65±5%；气压

10.生产单位应在产品说明书中提供以下特性曲线：

（1）转移特性随温度变化的曲线；

（2）输出特性曲线；

（3）跨导与漏极电流特性曲线；

（4）栅源电压差与漏极电流特性曲线；


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