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从安全工作区探讨IGBT的失效机理
资料介绍
摘要:本文阐述了各安全工作区的物理概念和超安全工作区工作的失效机理。讨论了短路持续时间Tsc和栅压Vg、集电极一发射极导通电压 Vce(on)及短路电流Isc的关系。
1、引言
半导体功率器件失效的原因多种多样。换效后进行换效分析也是十分困难和复杂的。其中失效的主要原因之一是超出安全工作区(Safe Operating Area 简称SOA使用引起的。
因此全面了解 SOA并在使用中将 IGBT的最大直流电流 IC和集电极一发射极电压Vce控制在SOA之内是十分重要的。SOA分为正偏安全工作区(FBSOA、反偏安全工作区(RBSOA开关安全工作区(SSOA和短路安全工作区(SCSOA。
2、各安全工作区的物理概念
IGBT的SOA表明其承受高压大电流的能力,是可靠性的重要标志。
2.1正偏安全工作区(FBSOA FBSO是处于Vge>阔值电压Vth的输出特性曲线的有源区之内,如图1所示。图1中ABCDO所包围的区域为直流安全工作区。AB段为tc=80℃限制的最大直流电流 1c.B点对应的IC和Vce的乘积等于最大耗散功率 Pcm BC段为等功耗线。CD段为二次击穿限制的安全工作区的边界,此段不是等功耗。随着 Vce的增加功耗下降,Vce越高功耗越低。这说明高电压强电场状态更容易出现失效。
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资料:bitboy
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