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同步整流的基本原理.

更新时间：2019-11-06 23:09:09 大小：187K 上传用户：xuzhen1查看TA发布的资源 标签：同步整流 下载积分：0分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(1) 举报

资料介绍

摘要：同步整流技术采用通态电阻极低的电力 MOSFET来取代整流二极管，能大大降低整流电路的损耗提高DCDC变换器的效率，满足低压、大电流整流器的需要。本文从分析《电力电子技术》教材中同步整流电路的原理图着手，介绍了电力 MOSFET的反向电阻工作区及同步整流技术的基本原理，并对同步整流电路中的驱动电路和栅极电压波形进行了分析关键词：同步整流；电力 MOSFET低电压输出

0引言

Dc/DC变换器的损耗主要由3部分组成：功率开关管的损耗高频变压器的损耗输出端整流管的损耗。在低电压、大电流输出的情况下，整流二极管的导通压降较高，输出端整流管的损耗尤为突出快恢复二极管或超快恢复二极管可达110~112即使采用低压降的肖特基二极管也会产生014V

018∨的压降，导致整流损耗增大，电源效率降低因此，传统的二极管整流电路已无法满足实现低电压、大电流开关电源高效率、小体积的需要，成为制约Dc/DC变换器提高效率的瓶颈。


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同步整流的基本原理.pdf 187K

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29  
1
期
第
卷 ꢀ第  
电气电子教学学报  
ꢀ
Vol. 29 No. 1  
2007 年 2 月  
Feb. 2007  
J OU RNAL OF EEE  
同步整流的基本原理  
,
黄海宏 王海欣  
,
ꢀ毅  
①
(合肥工业大学 ꢀ电气与自动化工程学院  
安徽 合肥  
)
230009  
,
摘 ꢀ要 :同步整流技术采用通态电阻极低的电力 MOSFET 来取代整流二极管 ,能大大降低整流电路的损耗 ,提高 DC/ DC 变换器的效率 , 满足  
,
MOSFET  
的反向电阻工作区及同步  
低压、大电流整流器的需要 。本文从分析《电力电子技术》教材中同步整流电路的原理图着手  
介绍了电力  
,
整流技术的基本原理 并对同步整流电路中的驱动电路和栅极电压波形进行了分析。  
:
;
关键词 同步整流 电力  
MOSFET ;  
低电压输出  
(
)
中图分类号 ꢀꢀ  
: TM46  
文献标识码 ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ 文章编号  
:A  
:1008 - 0686 2007 01 - 0027 - 03  
The Fundamental of Synchronous Rectif ication  
2
2
HUANG Hai hong ,WANG Hai xin ,ZHANG Yi  
(
)
, Hef ei Universit y of Technolog y , Hef ei 230009 , China  
School of elect ric and automation engineering  
Abstract : The technology of synchronous rectification is to replace rectifying diode wit h power MOSFET  
which has low t urn2on resistance , so it can decrease the dissipation of rectifier circuit greatly , improve the  
2
efficiency of DC/ DC converter and meet t he needs of low voltage and large current rectifier. The paper  
analyzes t he p rinciple diagram of synchronous rectification circuit in Power Elect ronics , int roduces the  
2
reversed resistance work area of power MOSFET and basic p rinciple of synchronous rectification technolo  
gy. At last , t he drive circuit of synchronous rectifier and grid voltage wave are analyzed.  
2
Keywords :synchro nous rectification ;power MOSFET ;low voltage outp ut  
0 ꢀ引言  
1 ꢀ同步整流原理  
同步整流是用通态电阻极低的电力  
MOSFET  
DC/ DC 变换器的损耗主要由 3 部分组成 :功率  
开关管的损耗 高频变压器的损耗 输出端整流管的  
来取代整流二极管以降低整流损耗的一项新技术  
同步整流电路如图 1 所示 [ 1 ]  
。
,
,
损耗 。在低电压 、大电流输出的情况下 ,整流二极管  
的导通压降较高 输出端整流管的损耗尤为突出  
。
。
低压大电流的电力  
的导通压降与二  
MOSFET  
,
快恢复二极管或超快恢复二极管可达  
即使采用低压降的肖特基二极管  
11 0～11 2V ,  
也会产生 1  
极管相比 要低 的多 。如 型号 为 FQ P140N03L 的  
～
(
DS  
D
)
,
0 4V  
电源效率降低  
MOSFET U = 30V , I = 140A ,导通电阻仅为  
Ω
1
的压降 导致整流损耗增大  
,
。
1
若负载电流为  
则导通压降为  
。
0 8V  
,
3 8m ,  
20A ,  
76mV  
因此 传统的二极管整流电路已无法满足实现低电  
,
因此采用低压电力  
作为整流器件可提高  
MOSFET  
压 、大电流开关电源高效率  
、小体积的需要  
成为制  
,
电路效率 减轻散热压力 有利于实现此类电源的小  
, ,  
约 DC/ DC 变换器提高效率的瓶颈 。  
型化 。  
由于在文献  
的第  
章介绍电力  
MOSFET  
[ 1 ]  
1
①
收稿日期 :2006 - 10 - 01 ;修回日期 :2006 - 12 - 14  
(
)
第一作者 : 黄海宏 1973 - ,江西靖江人 ,硕士 ,讲师 ,主要从事电力电子和自动控制方面的研究。  

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  • 2021-04-14 20:12:24xyhaliyou

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