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面向存储芯片的先进封装中硅桥互连技术从EMIB到UCIe的演进.docx
资料介绍
面向存储芯片的先进封装中硅桥互连技术从EMIB到UCIe的演进
——从嵌入式多芯片互连桥到通用小芯片互连标准
引言
硅桥互连技术是实现Chiplet（小芯片）集成的关键互连方案。在存储芯片的先进封装中，硅桥用于在多个芯片之间提供高密度、高带宽的互连。从Intel的EMIB（嵌入式多芯片互连桥）到UCIe（通用小芯片互连标准），硅桥互连技术经历了从专用到标准的演进。在HBM和CXL内存池化系统中，硅桥互连技术为存储芯片和逻辑芯片的异构集成提供了高带宽的物理层。本文系统分析面向存储芯片先进封装的硅桥互连技术，从EMIB到UCIe的演进路径。
硅桥互连的基本原理
硅桥结构
硅桥是一块无源硅中介层，在硅衬底上制作高密度互连层：
1. 硅衬底：硅桥采用高电阻率硅衬底，减少信号损耗和串扰。
2. 互连层：在硅衬底上制作多层铜互连，互连线宽和间距在亚微米级。
3. 微凸块：在硅桥的上下表面制作微凸块，连接硅桥与芯片和基板。
硅桥的优势
硅桥互连相比传统封装互连的优势：
1. 高密度互连：硅桥的互连线宽和间距可达0.5μm至2μm，互连密度比传统封装高10倍以上。
2. 低功耗：硅桥的互连长度短，寄生电容小，信号传输功耗低。
3. 高带宽：硅桥的互连数量多，总带宽可达TB/s级别。
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