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CMOS带隙基准及过温保护电路的研究
资料介绍
在CMOS带隙基准原理的基础上，设计了一种结构简单的高性能带隙基准电压源，并利用PN结正向导通电压具有负温度系数，实现过温保护。该电路采用（CSMC）0．5umCMOS工艺进行仿真，HsPice测试结果表明在4V～7V范围内电源抑制比为0．002V／V；在-30℃～120℃温度范围内温度系数为20．6PPM／℃：当电路温度超过120℃时过温保护电路将输出使能信号关断整个系统。
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| CMOS带隙基准及过温保护电路的研究.pdf | 76K |
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