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1700V SiC MOS内阻750毫欧首推TO263-7封装 适合光伏辅助电源
资料介绍
1700V国产SiC碳化硅MOS内阻750毫欧， 适用于组串式逆变器的辅助电源。TO-263-7封装电气间隙和爬电距离为7.1mm，如图1所示。根据IEC60664-4标准，如图2所示7.1mm的电气间隙可以满足>1800V的峰值电压的要求。
ASC5N1700MT7的推荐门级驱动正电压为12V，负电压为3V。12~15V的电压也在控制芯片I/O口的输出范围之内，因此可以采用控制芯片的I/O口直接进行驱动。现在市场上主流的控制芯片的都可以满足该要求。
部分文件列表
| 文件名 | 大小 |
| ASC5N1700MT7.pdf | 1M |
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