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1700V SiC MOS内阻750毫欧首推TO263-7封装 适合光伏辅助电源
大小:1M 更新时间:2022-07-13 下载积分:2分
1700V国产SiC碳化硅MOS内阻750毫欧, 适用于组串式逆变器的辅助电源。TO-263-7封装电气间隙和爬电距离为7.1mm,如图1所示。根据IEC60664-4标准,如图2所示7.1mm的电气间隙可以满足>1800V的峰值电压的要求。 ASC5N...
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国产碳化硅MOS管基于车载OBC与充电桩新技术
大小:11M 更新时间:2022-07-06 下载积分:2分
国产碳化硅MOS管基于车载OBC与充电桩新技术:1 车载电源OBC与最新发展 2 双向OBC关键技术 3 11kW全SiC双向OBC电路 4 OBC与车载DC/DC集成二合一 5 车载DC/DC转换电源电路比较 6 充电桩电源电路
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国产碳化硅MOS 应用设计选型指南
大小:4M 更新时间:2022-07-05 下载积分:2分
SIC MOSFET是新兴起的第三代半导体材料,是一种宽禁带半导体(禁带宽度>2eV,而SI禁带宽度仅为1.12eV),因其具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点,适用于高温、高频、大功率等应用...