您现在的位置是:首页 > 应用设计 > llc mos 失效分析
推荐星级:
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5

llc mos 失效分析

更新时间:2022-03-09 23:23:24 大小:2M 上传用户:szpower123查看TA发布的资源 标签:llcmos失效分析 下载积分:2分 评价赚积分 (如何评价?) 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

提高功率密度已经成为电源变换器的发展趋势。为达到

这个目标,需要提高开关频率,从而降低功率损耗、系

统整体尺寸以及重量。对于当今的开关电源(SMPS)而

言,具有高可靠性也是非常重要的。零电压开关(ZVS)

或零电流开关(ZCS) 拓扑允许采用高频开关技术,可以

最大限度地降低开关损耗。ZVS拓扑允许工作在高频开

关下,能够改善效率,能够降低应用的尺寸,还能够降

低功率开关的应力,因此可以改善系统的可靠性。LLC

谐振半桥变换器因其自身具有的多种优势逐渐成为一种

主流拓扑。这种拓扑得到了广泛的应用,包括高端服务

器、平板显示器电源的应用。但是,包含有LLC谐振半

桥的ZVS桥式拓扑,需要一个带有反向快速恢复体二极

管的MOSFET,才能获得更高的可靠性。本应用笔记讨

论了LLC谐振变换器中潜在失效模式和机理,并为防止

失效,提供一种简单、高性价比的解决方案。


部分文件列表

文件名 大小
AN-9067_llc_mos_失效分析.pdf 2M

全部评论(0)

暂无评论

上传资源 上传优质资源有赏金

  • 打赏
  • 30日榜单

推荐下载