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美光1-gamma DRAM工艺HKMG与EUV技术新标杆.docx
资料介绍
美光1-gamma DRAM工艺：HKMG与EUV技术的新标杆
摘要
美光科技于2026年5月向核心服务器生态系统合作伙伴送样了基于1-gamma（1γ）制程的256GB DDR5 RDIMM内存模块，传输速率最高达9200MT/s，比当前量产模块快40%以上，功耗降低40%以上。1γ DRAM是美光第六代10nm级工艺，采用新一代HKMG（高K金属栅极）技术提升晶体管性能，并引入EUV光刻工艺提升容量密度。本文从1γ工艺的技术特征、性能表现、与竞争对手对比以及产业影响等维度，系统分析美光1γ DRAM工艺的技术价值。
一、引言：美光DRAM工艺路线图
美光的DRAM工艺演进路线图：
· 1α（1-alpha）：第一代10nm级，采用EUV光刻
· 1β（1-beta）：第二代10nm级，改进型
· 1γ（1-gamma）：第三代10nm级，引入HKMG
· 后续节点：1δ（1-delta）等
1γ工艺是美光在DRAM工艺领域的重要技术节点，首次在DRAM中引入HKMG技术，标志着DRAM晶体管设计的重大变革。
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| 美光1-gamma_DRAM工艺HKMG与EUV技术新标杆.docx | 39K |
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