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晶圆级封装WLP与扇入型封装技术详解.docx
资料介绍
晶圆级封装WLP与扇入型封装技术详解
一、引言
晶圆级封装在整片晶圆上直接完成封装工序，然后切割成单颗芯片，封装尺寸与芯片尺寸几乎相同，是小型化终端半导体封装的核心方案。WLP省去了传统封装中的基板和引线框架，封装厚度薄、尺寸小、成本低，在电源管理芯片、模拟芯片和物联网芯片中广泛应用。
二、WLP的基本原理
2.1 工艺顺序的革命
传统封装先切割晶圆再逐个封装芯片，WLP先在晶圆上完成封装再切割，将封装工序前移到晶圆级。这种工艺顺序的变革带来了成本、效率和尺寸方面的显著优势。
2.2 扇入型WLP
扇入型WLP在芯片的投影面积内制作RDL，将芯片I/O焊盘重新分布到更便于与PCB连接的位置。扇入型WLP的引脚数受芯片面积限制，适用于引脚数较少的芯片。
三、WLP的工艺流程
3.1 晶圆准备
完成晶圆制造和测试后，在晶圆表面涂覆绝缘层，保护芯片表面。
3.2 RDL制作
通过光刻和电镀工艺在绝缘层上制作金属布线层，将芯片的I/O焊盘重新分布到新的焊盘位置。
3.3 凸块制作
在RDL末端制作焊料凸块或铜柱凸块，用于与PCB连接。
3.4 晶圆测试
在晶圆级进行电性能测试，标记不合格芯片。
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