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TPS7H6101-SEP 200V 10A GaN 半桥功率级
资料介绍
TPS7H6101 是一款具有集成式栅极驱动器的抗辐射 200V e 模式 GaN 功率 FET 半桥；集成 e 模式 GaN FET 和栅极驱动器可简化设计、减少元件数量并缩小 布板空间。支持半桥和两个独立开关拓扑、可配置死区 时间和可配置击穿互锁保护，有助于为各种应用和实现 提供支持。
部分文件列表
| 文件名 | 大小 |
| tps7h6101-sep_(中文版).pdf | 2M |
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