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电力电子变换器高温反偏测试与栅偏测试技术设计.docx
资料介绍
电力电子变换器高温反偏测试与栅偏测试技术设计
1 引言
高温反偏（HTRB）测试和高温栅偏（HTGB）测试是评估功率器件在高温高压下可靠性的标准方法，在加速器件老化时，在评估漏电流和阈值电压漂移时，在器件寿命预测时。在SiC MOSFET的可靠性评估中，在HTRB和HTGB测试时，在栅极氧化层可靠性和体二极管退化时，在关键时。本章将系统阐述HTRB和HTGB测试的原理、方法、测试条件以及失效分析技术，为功率器件可靠性测试提供系统指导。
2 HTRB测试
2.1 测试条件
在HTRB测试中，在温度时，在器件最大结温时，在125~175°C时，在电压时，在额定电压的80%~100%时，在时间时，在1000~3000小时时。在测试时，在器件关断时，在在反向偏置时，在漏电流时，在监测时。
2.2 失效判据
在HTRB测试中，在失效判据时，在漏电流时，在增大时，在超过初始值时，在5倍时，在击穿电压时，在变化时，在超过时，在在10%时。
3 HTGB测试
3.1 测试条件
在HTGB测试中，在温度时，在125~175°C时，在栅极电压时，在额定栅极电压时，在±20V时，在时间时，在1000~3000小时时。在测试时，在栅极偏置时，在正偏置时，在负偏置时，在阈值电压时，在监测时。
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| STM32G474逆变器_技术文件_2031_电力电子变换器高温反偏测试与栅偏测试技术设计.docx | 37K |
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