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电力电子变换器宽禁带器件的高频PCB布局与寄生参数控制技术.docx

资料介绍

电力电子变换器宽禁带器件的高频PCB布局与寄生参数控制技术

1 引言

宽禁带器件的高开关速度对PCB布局提出了极其严格的要求,寄生参数在高频下对电路性能的影响远大于传统Si器件。SiC MOSFET的dv/dt可达10~50 kV/μs,GaN HEMT的dv/dt可达50~100 kV/μs,功率回路中数纳亨的寄生电感即可产生显著的电压过冲和振荡,驱动回路中数纳亨的寄生电感即可导致栅极振荡和误触发。因此,宽禁带器件的PCB布局必须将寄生参数控制到极致,从器件选型、封装选择、布局规划到走线设计,每个环节都需要精细优化。本章将系统阐述宽禁带器件高频PCB布局的原则和方法,包括功率回路优化、驱动回路优化、层叠结构设计和寄生参数控制技术,为宽禁带器件的高频布局设计提供系统指导。

2 功率回路寄生电感控制

2.1 功率回路最小化

功率回路寄生电感是宽禁带器件布局的首要控制目标,直接影响开关过冲和EMI。功率回路最小化的方法:采用多层PCB,将正负母线布置在相邻层,利用叠层结构的互感效应降低等效电感,在4层以上的PCB中,正负母线使用相邻的内层,中间使用薄介质层;使用低寄生电感封装,选择表面贴装封装(QFN、LGA、BGA)替代插件封装,QFN封装的寄生电感可低至0.5~2 nH,而TO-247封装的寄生电感为5~15 nH。

2.2 换流回路设计

换流回路是功率回路中电流变化最快的回路,其面积应最小化。在桥式电路中,换流回路由高端开关管、低端开关管和直流母线电容组成,在开关过程中,电流在换流回路中快速切换。换流回路最小化的方法:将直流母线去耦电容紧贴功率器件布置,在SiC MOSFET应用中,去耦电容应放置在距器件3~5 mm范围内;使用多个小容值、低ESL的MLCC并联,替代单个大容值电解电容,MLCC的ESL远低于电解电容,在<10 nH的寄生电感要求下,MLCC是必须的选择。


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