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电力电子变换器损耗仿真与效率优化技术设计.docx
资料介绍
电力电子变换器损耗仿真与效率优化技术设计
概述
损耗仿真与效率优化是电力电子变换器设计的重要内容，通过精确的损耗仿真评估变换器的效率，通过优化设计提高变换器的效率。在基于STM32G474的逆变器系统中，损耗仿真技术可用于逆变器效率的评估和优化。本章系统阐述损耗仿真的方法、效率优化策略及仿真验证技术。
损耗仿真方法
器件损耗仿真
器件损耗仿真通过器件的开关模型或损耗模型，计算器件的导通损耗和开关损耗。器件损耗仿真需要考虑温度的影响，温度升高时损耗增大。
磁性元件损耗仿真
磁性元件损耗仿真通过磁芯损耗模型和绕组损耗模型，计算磁性元件的磁芯损耗和绕组损耗。磁芯损耗与工作频率和磁通密度相关，绕组损耗与电流有效值和频率相关。
损耗模型
IGBT损耗模型
IGBT的导通损耗由Vce(sat)和Ic决定，开关损耗由Eon和Eoff决定。IGBT的损耗模型需要包含温度和电流的影响。
MOSFET损耗模型
MOSFET的导通损耗由Rds(on)和Id决定，开关损耗由开关过程中的电压电流重叠决定。MOSFET的损耗模型需要包含温度和栅极电压的影响。
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| STM32G474逆变器_技术文件_1588_电力电子变换器损耗仿真与效率优化技术设计.docx | 37K |
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