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功率器件SiC MOSFET雪崩耐量与浪涌电流能力技术设计.docx
资料介绍
功率器件SiC MOSFET雪崩耐量与浪涌电流能力技术设计
概述
SiC MOSFET的雪崩耐量和浪涌电流能力是评估器件在极端工况下可靠性的关键参数，雪崩能量吸收能力反映器件在过电压条件下的耐受能力，浪涌电流能力反映器件在短路或过载条件下的耐受能力。在基于STM32G474的逆变器系统中，雪崩和浪涌特性可用于逆变器功率器件的可靠性评估。本章系统阐述SiC MOSFET雪崩耐量的机理、浪涌电流特性及测试方法。
雪崩耐量机理
雪崩击穿
SiC MOSFET在关断过程中，如果漏极电压超过额定耐压，器件发生雪崩击穿。雪崩击穿是可逆的，只要器件的温度不超过极限值，雪崩击穿不会损坏器件。
雪崩能量
SiC MOSFET的雪崩能量吸收能力与芯片面积和散热条件相关。SiC MOSFET的雪崩能量通常为相同额定电流IGBT的1/3至1/5。
雪崩耐量测试
单脉冲雪崩测试
单脉冲雪崩测试通过电感负载产生雪崩能量，测试器件在单次雪崩事件中的耐受能力。测试电路由高压电源、电感、被测器件和栅极驱动组成。
重复雪崩测试
重复雪崩测试通过多次施加雪崩脉冲，测试器件在重复雪崩事件中的耐受能力。重复雪崩测试的频率和次数根据应用条件确定。
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| STM32G474逆变器_技术文件_1558_功率器件SiC_MOSFET雪崩耐量与浪涌电流能力技术设计.docx | 37K |
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