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IGBT模块结构与内部布局设计.docx
资料介绍
功率器件IGBT模块结构与内部布局设计
概述
IGBT模块是电力电子变换器中广泛使用的功率模块，将多个IGBT芯片和二极管芯片集成在一个封装内，具有高功率密度、高可靠性和易于安装的优点。在基于STM32G474的逆变器系统中，IGBT模块设计技术可用于逆变器功率模块的选型和评估。本章系统阐述IGBT模块的内部结构、芯片布局设计及模块性能优化技术。
IGBT模块结构
模块组成
IGBT模块由DBC基板、IGBT芯片、二极管芯片、键合线、端子、硅凝胶和外壳组成。DBC基板提供电气绝缘和热传导，IGBT芯片和二极管芯片焊接在DBC基板上，键合线实现芯片与DBC基板之间的电气连接，端子连接外部电路，硅凝胶提供绝缘保护，外壳提供机械保护。
芯片布局
IGBT模块的芯片布局影响模块的热性能和电气性能。芯片布局采用对称设计，使各芯片的电流路径和热路径一致。芯片布局根据模块的电流等级和拓扑结构确定，半桥模块的上下桥臂芯片对称布置。
内部互连
键合线互连
键合线是IGBT模块中最常用的互连方式，采用铝线或铜线，直径从100μm至500μm。键合线的数量根据电流等级确定，大电流模块需要多根键合线并联。键合线的布局采用对称设计，使各键合线的电流分布均匀。
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| STM32G474逆变器_技术文件_1531_IGBT模块结构与内部布局设计.docx | 37K |
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