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功率器件吸收电路与尖峰抑制技术设计.docx

更新时间:2026-09-10 08:33:42 大小:38K 上传用户:江岚查看TA发布的资源 标签:功率器件吸收电路尖峰抑制STM32G474逆变器 下载积分:2分 评价赚积分 (如何评价?) 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

功率器件吸收电路与尖峰抑制技术设计

概述

功率器件在开关过程中产生的电压尖峰和电流尖峰可能导致器件过压击穿和电磁干扰,吸收电路是抑制尖峰的有效手段。在基于STM32G474的逆变器系统中,吸收电路技术可用于逆变器功率器件的尖峰抑制。本章系统阐述吸收电路的类型、参数设计方法及尖峰抑制技术。

尖峰产生机理

关断电压尖峰

功率器件关断时,回路寄生电感中的储能产生电压尖峰,电压尖峰的计算公式为:Vpk = Ls × di/dt,其中Ls为回路寄生电感,di/dt为电流变化率。电压尖峰的幅值与寄生电感和关断速度成正比,高开关速度的SiCGaN器件产生的电压尖峰更大。

开通电流尖峰

功率器件开通时,二极管反向恢复电流产生电流尖峰,电流尖峰增加器件的开通损耗和电磁干扰。电流尖峰的幅值与二极管的恢复特性相关,快恢复二极管的电流尖峰较小。

RC吸收电路

工作原理

RC吸收电路由电阻和电容串联组成,并联在功率器件两端。RC吸收电路在器件关断时,电容吸收寄生电感中的储能,电阻消耗储能。RC吸收电路可以抑制电压尖峰和振荡,降低电磁干扰。


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