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Toshiba东芝SSM6N44FE N沟道MOSFET产品规格书datasheet
资料介绍
卓越的低导通电阻性能
SSM6N44FE的最大特点之一是其低导通电阻（RDS(on){DS(on)}DS(on)），这一参数对于MOSFET的整体性能至关重要。在较低的导通电阻下，SSM6N44FE能够在导通状态下大幅减少功率损耗，进而提高设备的整体能效。根据文档中的数据，这款MOSFET在VGS{GS}GS为4.5V时，典型RDS(on)_{DS(on)}DS(on)仅为26mΩ，这意味着在同类产品中，它的表现非常出色。
低栅极电荷量
栅极电荷（Qg_gg）是另一个影响MOSFET开关性能的重要因素。SSM6N44FE拥有非常低的栅极电荷量（Qg_gg），这使得它能够更快地开关，显著提高了电路的开关频率，同时减少了动态功耗。对于高速开关电路应用，这一特性尤为关键。
出色的耐压能力
在某些需要高电压操作的应用场景下，MOSFET的耐压能力尤为重要。SSM6N44FE的最大漏源电压（VDS_{DS}DS）为40V，能够满足大部分中低压应用的需求。这一特性使得它在电源管理、DC-DC转换器和电池保护电路中有着广泛的应用。
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| SSM6N44FE_datasheet_en_20140301.pdf | 220K |
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