SJ_T 11765-2020 晶体管低频噪声参数测试方法

SJ_T 11765-2020 晶体管低频噪声参数测试方法 电子元器件低频噪声参数测试方法的系列标准包括：《电子元器件低频噪声参数测试方法通用要求》 和具体电子元器件的低频噪声参数测试方法，后者包括但不限于：《晶体管低频噪声参数测试方法》、 《二极管低频噪声参数测试方法》、《光电耦合器件低频噪声参数测试方法》、《电阻器低频噪声参数测试方法》 本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担这些专利的责任本标准由基于低频噪声技术的电子元器件可细他无树检测标准工作组归口。 范围 本标准规定了晶体管1Hz~300kHz频率范围内的噪声参数测试方法及要求，本标准适用于双极型品体管与场效应晶体管，其他晶体管产品可参照执行。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。 凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T 4586 半导体器件分立器件 第8部分：场效应晶体管GB/T 4587 半导体分立器件和集成电路 第 7 部分；双极型晶体管SJ/T11769 电子元器件低频噪声参数测试方法通用要求3 术语和定义 GB/T 4586，GB/T 4587和SJ/T 11769界定的术语和定义适用于本文件. 4测试条件及要求 除SJT 11796的规定外，晶体管低频噪声测试条件还应符合下列要求：a） 场效应晶体管的低频噪声參数包括等效输入噪声电压、等效输入噪声电压功率谱密度和噪声系数，双极型晶体管的低频噪声参数包括等效输入噪声电流、等效输入噪声电流功率谱密度和噪声系数。 b） 晶体管的低频噪声参数测试条件包括偏置电压、偏置电流、测试频率、源电阻。若产品详细规范规定低频噪声参数测试条件，按照产品详细规范执行，对于无测试条件规定的，场效应晶体管的跨导和双极型晶体管的静态电流放大倍数的测试条件作为低频噪声参数测试条件。 5 测试系统的构成及要求 5.1低频噪声测试系统的构成及要求应符合SJ/T 11769的规定，同时能够提供低噪声正电源、低噪声负电源。 通则 5.2 测试偏置电路 晶体管低频噪声测试偏置电路原理如图1所示，被测晶体管的三个极S（E）、G（B）和D（C）分别表示场效应晶体管的源极、栅极和漏极与双极晶体管的发射极、基极和集电极，低噪声电源分别为被测晶体管提供电压偏置和电流偏置，白噪声源是被测晶体管传输函数测试的激助源，源漏端的噪声 信号输出到低噪声前置放大器，低噪声前置放大器的+/一分别为信号的同向输入端/反向输入端。R为负载电阻，R为源电阻，若被测晶体管噪声参数测试无具体規定时，等效输入噪声电压功率请密度测试用源电阻R通常为1kΩ，等效输入噪声电流功率谱密度测试用源电阻R，通常为1MΩ. 测试程序 FIN 6.1 测试准备 晶体管低织噪声参数测试，按照SIT169 的要求，进行测试系统的检查 体噪声的测量、测试样品的安等测试准备工作 6.2 等效输入电压功率措密度 按照下列步 分别进行噪声电压功率谱密度和转输函数的测试，计算等效输入口声电压功率谱密度： a） 接入测断开关 K 断开，按照 4 b）要求设置与调节偏置电压，电能等条件： b）调节低程声能大器的带宽和增益，使放大器输出信号在数据来集分析设备量程内；c）设置数据集分析设备的采样率、频谱分辨率和测量平均次数除另有规E外，测量平均次数不少于 16 ANDARDS d）进行噪声电压力密试。激后的噪声电压功率语密度；g）按照 SI/T 11769 的公式（1）计算得到被形曲作管的传输函数；h）由 6.2 d）得到的噪声电压功率谱密度除以 6.2 g）得到的传输函数，得到被测晶体管的等效输入噪声电压功率谱密度，典型噪声电压功率谱密度图谱参见附录A. 6.3 等效输入噪声电压 按照下列步骤，进行噪声电压测试，计算等效输入噪声电压： a）接入被测晶体管，开关 K 断开，按照 4 b）要求设置与调节偏置电压、偏置电流等条件；b）调节低噪声前置放大器的带宽和增益，使放大器输出信号在数据采集分析设备量程内c）设置数据采集分析设备的采样率、频谱分辨率和噪声电压时间序列采集的时间，除另有规定外，单次采集时间不少于 32 s；