SJ 50033_191-2018 半导体分立器件 3CK3637 3CK3637UB型硅PNP高

1范围 本规范规定了3CK3637，3CK3637几UB限硅PNP高频大功率开关品体管（以下简称器件）的详细要求。 本规范适用于器件的研制、生产和使用。 2规范性引用文件 下列文件中的条款通过本规范的引用面成为本规范的条款。凡是是男用文件，其随后所有的慈单（不包含物凑的内容）或修订版均不通用于本规范，然而，鼓州根个规草达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本，凡是不注日期的引用文件，微缅版实规范 GB/T458194半导体分立器件利樂成电路第7部分： GBT75-987半导体分立器件外形尺寸 GB1230-90功率晶体管安全工作区测试方法 GB33A-91半导体分立器件爸规范 GB12BA1997半导体分立器件试致方法 GB548微电子器件试验方法和程序 3要求 TECHNOLOG 3.1总则 器件应符合套规范和0B33A-1997规定的所有要求，本规范的要求G997不一致时，应以本规范为准。 3.2设计，结构和外形尺寸 3.2.1引出端镀涂层 引出W镀涂层应按GB33A-1997电3.8，1的规定 3.2.2器件结构 器件采用硅外延平面结构。 3.2.3外形尺寸 3CK3637外形尺寸应符合GBT7581-1987中的A3-02B型，见图1的规定：3CK3637UB采用UB型金属陶瓷封装，外形尺寸见图2。 A.2设备 要求测试设备能在婴的温箱、温槽内或热板上，在所樱求的下测尽被试器件样本的温度敏感参数（TSP》. A.3程序 A.3.1确认清件在颗定结温下的TSP A.3.1.1通 采用一速定的外刹量电流，该电流用于TSP测量，而不会产生有效的自热.T敏清的占空比应不大于加热时博（街%。应尽量采用与试验环境条件下所使用功来的模式相同德型即热电流（）。 被试器件的楚构应与进行老炼和寿命试致的器件的结构相同。除另有规定乳，】 少拍取5只器件 进行测量。 A3.1.2确走要球的结温 首先确定考族淹试验所要求的结温，对于军用器件的老炼筛选，最结。 相应的详细规范 规定。除另有规家外量高结温应为被试器件的额定最高结温。 A.3.13达到规定的每 应在独立的温度受控的温箱、湿槽中或热板上将结阁控制到规定位叁差任2K（或按要求）。 A.3.1.4记录TSP在被试器件放入并达势平衡后，应采付小的稳定测侵电诚（）记原一系列的TsP。这北TSP应为品体管的基极一发时极电压（阳）。的大小应关鱼足以保证a的测量，但不得大至足以产生有效的自热。 A.3.2寿命试验时器件的安装 被试器件的样本应用插座安装在试验环境中，插座应分别处于试验环境最冷与最热的关键区域以核实T。样本中也应包括为重现相同的累积热效应而安装于功率试验环境中的所有其他器件。被试器件所使用的插座，其结构还应与试验环境中使用的所有其他插座的结构相同。被试器件应与TSP测量设备进行电气连接，该测量设备需要一组开尔文检测线用以监测结电压。这些检测线的连接应使散热效应减至最小。 A.3.3确定考命试验的条件 A.3.3.1环境温度 环境温度（Ta）应是热平衡条件下的规定混度，包括适用时混猫中的任何热对流或空气循环效应。 当采用热板时，还应规定其表面温度和一致性。 A.3.3.2 施加电流和功率 对所有器件施加相同的加热电流或等效的有效值功率，稍微增大加热电流，采用4对每一只被试器件同时监测一次 TSP。 注：随着刀的增大，TSP测试值（险）会减小。 A.3.3.3 规定结温下的TSP A.3.3.3.1 概述 重复A.3.3.2，直至对试验环境中的所有器件施加相同等效的电流或有效值功率后，测出的TSP与A.3.3.2中TSP的测试值相同。应记录每只被试器件达到此所要求的7值所施加的功率，并且计算所有被试器件的平均功率，并作为A.3.4.4的老炼或寿命试验中对每只器件所施加的功率数值。 A.3.3.3.2 电流和功率额定值 如果施加的加热电流或加热功率（Pn）超过器件的额定值才能使老炼时器件结温达到所要求的T，则应作下列选择： a）可以增加加热电流或加热功率，但不得超过器件的电流密度容量： b）减少试验环境中的散热器；c）当相应的详细规范中允许时，可以升高TA直至达到所要求的T A.3.3.3.3 宇航级器件的7当宇航级（Jy）器件进行强加度稳态工作寿命试验时，2；可高于其手册中规定的最高允许结溢（对硅器件或锗器件，即高于150 ℃~200 ℃）.7值可以规定为225 ℃~275 ℃.但选择的试验条件不得使器件结温超过半导体材料的本征半导体温度。该温度可依据本征区或二次击穿区（热产生的电子空穴对涌出接近或超过了Px结的本底掺杂水平）进行确定。该温度也可通过反向漏电流的明显增大来确定，或更严重的情况如整流管的反向击穿电压（VBR）来观测到。 A.3.3.4 T达到规定值后 器件应按A.3.3.3.1确定的平均功率进行老炼或寿命试验。 B.1通则 承制方应建立一套程序对器件的瞬态热阻抗、漏电流和所有其他关键参数（见表B.1）进行表征，以能鉴别参数异常的器件。当芯片粘接空洞与瞬态热阻抗之间的关系得到鉴定机构批准，则可不要求对瞬态热阻抗进行批常规测试。对于性能异常的器件，即使通过A2分组测试或未超过由瞬态热阻抗分布曲线得出的限制值，应予以拒收。该程序应规定样品的选取和如何确定参数的限制值。 B.2参数一致性控制程度AIN ΑTΗ 常 得出的批极限最不出加B1电使用的批参教硬性个生产找器体过算标不应得个理能的推。B.1中给出B.3 宇航级器件的要求 宇航级器件的批常规测试：对于宇航级器件，承制方应在老炼后进行批常规测选，承制方可选择在老炼前进行增加的默常规测试。可以从整批器件的数据或从A2分组数据（n-116）算出参数的均值和标准差。如果采用一个性本计算，则计算出的限制值适用于整个批。概率分布可 是正态分布，也可能是对数正态分布如果老陈前的批常规测试采用±30为限制值，则在老炼后可以采用，：40作为限制值。在高、低温下进行的测试，采用±60作为限制值进行评价，而不应采用生30作为限制值进行评价。超出限制值的器件应从批中剔除，如果考虑将被剔除的器件提供使用，则应提供工 评定意见。除非提交工程评定意见，呈现性能异常的器件，即使满足了A2分组的限制值要求也应迫收或从批中剔除。如果观测到不正常生产，则需进行工程评定，除可提供其他信息外，与规范规定的极限值进行比较是不合理的。经鉴定机构批准，可以采用替代的方法。 B.4 数据分析及工程评定 承制方应对批常规测试数据进行分析，以确保单批器件内数据的单峰分布。如果发现数据出现多峰分布，应进行工程评定。