SJ 50033_188-2018 半导体分立器件 3CA4931 3CA4931U8型硅PNP高

SJ 50033_188-2018 半导体分立器件 3CA4931、3CA4931U8型硅PNP高频大功率晶体管详细规范 范围 本规范规定了3CA4931、3CA4931U8型硅PNP高频大功率晶体管（以下简称器件）的详细要求。 本规范适用于器件的研制、生产和使用。 2规范性引用文件 Y AND INFORM下列文件中的条款通过本规范的引用而成为本规范的条款。是的用文件，其随后所有的修改单（不包含勘误的内容）线修订版均不适用于本规范，然而，鼓，达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本，凡是不注日期的引用文件，其源新版大适用于本规范。 GB/T 4587-1994半导体分立器件和集成电路 第7部分：建极晶体 GB/T 751-1987半导体分立器件外形尺寸 GB 1234b-1990功率晶体管安全工作区测试方法 GJB 33A-1997半导体分立器件总规范 GJB 128A-1997半导体分立器件试验方法 GJB 54微电子器件试验方法和程序 器件应符合本规范 33A-1997规定的所有要求。本规范的要求与5B 35人-1997不一致时，应以才 3.2 设计、结构和外形尺寸 引出端健涂层应按GJB 33A-199793.sh的新降RDS器件采用硅外延平面结构。 3要求 3.1 总则 规范为准 3.2.1 引出端镀涂层 3.2.2 器件结构3.2.3 外形尺寸 3CA4931外形尺寸应符合GB/T 7581-1987中的A3-02B型，见图1的规定；3CA4931U8采用SMD-0.2型金属陶瓷封装，外形尺寸见图2 A.1目的 本试验的目的是确认老炼和寿命试验环境下双极型晶体管的稳态工作寿命试验条件能否使结温（T）是否达到了规定的数值。 要求测试设备能在一的秘箱、温槽内或热板上，在所要求的T下测量核试器件样本的混度敏感参数（TSP），INDUST A.2设备 YAND INFORA A.3 程序 确认寄件在规拿结混下的TSP A.3.1.1 通到 A.3.1采用一遵定胸小剩量电流。该电流用于TSP测量，而不会产生有效的自热。T浓样的占空比应不大于加热时间（的%。应尽量采用与试验环境条件下所使用功率的模式相同电功或口热电流（品）。 被试器性的应与进行老族和寿命试验的器件的结构相同。除另有规定券，至少抽取5只器件进行测量。 A.3.1.2 确定要求的转温 首先确定者均试验所要求的结温，对于军用器件的老炼筛选，最偃结应相应的详细规范规定，除另有规定外高结温应为被试器件的额定最高结温A.3.1.3 达到规定的结验 应在独立的温度受控的温箱、温槽中或热板上将结混控制到规定位差y士2K（或按要求》。 A.3.1.4 记录TSP在被试器件放入并达到近平衡后，应采用小的稳定测量电流（记录一系列的TSP。这些TSP应为品体管的基极一发射极电压（E），的法小度天至感以保证e的测量，但不得大至足以产生有效的自热。 A.3.2 寿命试验时器件的安装 被试器件的样本应用插座安装在试验环境中，插座应分别处于试验环境最冷与最热的关键区域以核实写。样本中也应包括为重现相同的累积热效应而安装于功率试验环境中的所有其他器件。被试器件所使用的插座，其结构还应与试验环境中使用的所有其他插座的结构相同。被试器件应与TSP测量设备进行电气连接，该测量设备需要一组开尔文检测线用以监测结电压。这些检测线的连接应使散热效应减至最小。 A.3.3 确定寿命试验的条件 A.3.3.1 环境温度 环境温度（TA）应是热平衡条件下的规定温度，包括适用时温箱中的任何热对流或空气循环效应。 当采用热板时，还应规定其表面温度和一致性。 A.3.3.2 施加电流和功率 对所有器件施加相同的加热电流或等效的有效值功率。稍微增大加热电流，采用心对每一只被试器件同时监测一次 TSP. 注：随着刀的增大，TSP测试值（险）会减小。 A.3.3.3 规定结湿下的TSP A.3.3.3.1 概述 重复A.3.3.2，直至对试验环境中的所有器件施加相同等效的电流或有效值功率后，测出的TSP与A.3.3.2中TSP的测试值相同。应记录每只被试器件达到此所要求的写值所施加的功率，并且计算所有被试器件的平均功率，并作为A.3.4.4的老炼或寿命试验中对每只器件所施加的功率数值。 A.3.3.3.2 电流和功率额定值 如果随加的加热电流或加热功率（PH）超过器件的额定值才能使老炼时器件结混达到所要求的万则应作下列选择： a）可以增加加热电流或加热功率，但不得超过器件的电流密度容量： b）减少试验环境中的散热器： c）当相应的详细规范中允许时，可以升高r，直至达到所要求的T A.3.3.3.3 宇航级器件的刀 当宇航级（个）器件进行强加度稳态工作寿命试验时，写可高于其手册中规定的最高允许结温（对硅器件或锗器件，即高于150 ℃~200 ℃）。万值可以规定为225 ℃~275 ℃.但选择的试验条件不得使器件结温超过半导体材料的本征半导体温度。该温度可依据本征区或二次击穿区《热产生的电子空穴对涌出接近或超过了Px结的本底掺杂水平）进行确定，该温度也可通过反向漏电流的明显增大来确定，或更严重的情况如整流管的反向击穿电压（Vng）来观测到。 A.3.3.4 7达到规定值后 器件应按A.3.3.3.1确定的平均功率进行老炼或寿命试验。