SJ 50033_187-2018 半导体分立器件 3CA3741 3CA3741U1型硅PNP高

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资料介绍

SJ 50033_187-2018 半导体分立器件 3CA3741、3CA3741U1型硅PNP高频大功率开关晶体管详细规范范围本规范规定了3CA3741、3CA3741U1型硅PNP高频大功率开关品体管（以下简称器件）的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和使用。 ا 规范性引用文件 ARY AND INFORMA修改单（不包含勘误的肉是否可使用这些文件的最薪版本。凡是不注日期的引用文件，一新版本通天本规范。 GB/T 45871994半导体分立器件和集成电路第7部分：品体 GB/T 7581-1987半导体分立器件外形尺寸GB 1230-990 Εو 功率晶体管安全工作区测试方法 GJB 33A-997半导体分立器件总规范 GJB 12A-1997半导体分立器件试验方法 GJB548电子器件试验方法和程序 مم 3要求总则 3.1以本规范为准。器件应符合本规范和GB 33A-1997规定的所有要求。本规范的要求与GJ37A-1997不一致时，应 3.2.1 引出端镀涂层 3.2设计、结构和外形 SaM 3.2.2 器件结构引出端镀涂层应按GJB 33A-1997中3.8.1的规定器件采用硅外延平面结构。 3.2.3 外形尺寸 3CA3741采用TO-66型金属封装，外形尺寸见图1；3CA3741U1采用SMD-1型金属陶瓷封装，外形尺寸见图2. 3.4 电测试要求电测试应符合GB/T 4587-1994及本规范的规定。 3.5 标志标志应符合GJB 33A-1997和以下要求： a）批识别代码： b）生产厂标识；e）器件型号：3CA3741/3CA3741U1；d）器件序列号；e）器件质量等级标识：JP、JT、JCT或JY级。 4 质量保证规定 4.1 抽样和检验抽样和检验应按GJB 33A-1997和本规范的规定。 4.2 筛选（仅对 JT、JCT 和 JY 级） 4.2.1 通则应按GJB 33A-1997表2和本规范表3的规定100%进行，其测试应按本规范表4的规定进行，超过本规范表4极限值的器件应予剔除。 A.1目的本试验的目的是确认老炼和寿命试验环境下双极型晶体管的稳态工作寿命试验条件能否使结温（T；）是否达到了规定的数值. A.2设备要求测试设备能在受控的温箱、温槽内或热板上，在所要求的2下测量被试器件样本的温度敏感参数（TSP）. A.3 程序 A.3.1 确认器件在規定结湿下的TSP A.3.1.1 通则采用一选定的小测量电流。该电流用于TSP测量，而不会产生有效的自热。TSP取样的占空比应不大于加热时间（A）的1%。应尽量采用与试验环境条件下所使用功率的模式相同的功率或加热电流（品）。被试器件的结构应与进行老炼和寿命试验的器件的结构相同。除另有规定外，应至少抽取5只器件进行测量。 A.3.1.2 确定要求的结温首先确定老炼或寿命试验所要求的结温。对于军用器件的老炼筛选，最低结温应按相应的详细规范规定。除另有规定外，最高结湿应为被试器件的额定最高结温。 A.3.1.3 达到规定的结温应在独立的温度受控的温箱、温槽中或热板上将结温控制到规定值，允差为±2K（或按要求） A.3.1.4 记录TSP在被试器件放入并达到热平衡后，应采用小的稳定测量电流（J）记录一系列的TSP，这些TSP应为晶体管的基板-发射极电压（VBE）。A的大小应大至足以保证FE的测量，但不得大至足以产生有效的自热，A.3.2 寿命试验时器件的安装被试器件的样本应用插座安装在试验环境中，插座应分别处于试验环境最冷与最热的关键区域以核实7，样本中也应包括为重现相同的累积热效应而安装于功率试验环境中的所有其他器件。被试器件所使用的插座，其结构还应与试验环境中使用的所有其他插座的结构相同。被试器件应与TSP测量设备进行电气连接，该测量设备需要一组开尔文检测线用以监测结电压，这些检测线的连接应使散热效应减至最小。 A.3.3 确定寿命试验的条件 A.3.3.1 环境温度环境温度（TA）应是热平衡条件下的规定温度，包括适用时温箱中的任何热对流或空气循环效应。当采用热板时，还应规定其表面溢度和一致性。