SJ 21536-2018 微波功率器件及集成电路用砷化镓外延片规范

更新时间：2023-09-02 17:27:16 大小：6M 上传用户：sun2152 查看TA发布的资源 标签：微波功率器件 下载积分：4分评价赚积分（如何评价?）打赏收藏评论(0) 举报

资料介绍

范围本规范规定了微波功率器件及集成电路用砷化嫁外延片（以下简称砷化镓外延片）的技术要求、质量保证规定、交货准备等内容。本规范适用于砷化镓微波功率器件和砷化镓微波单片集成电路（MMIC）用砷化镓外延片，其他砷化镓外延片可参照使用。 2 规范性引用文件 STRY AND INFORMAT下列文件中的条款通过本规范的引用而成为本规范的条款。凡是注国期的引用文件，其随后所有的修改单（不包含期误例内容）或修订版均不适用于本规范，然而，鼓励根据令规范达成协议的各方研究是否可使用这些文性的最新版本，凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本规范。 GB/T 4326非本征半导体单品霍尔迁移率和霍尔系数测量方法GB/T 6619硅片弯曲度测试方法 GB/T 6620硅后表面短曲度测试方法 GB/T 6624 硅抛光片表通质量目期检验方法GB/T 1264半导体材料术语 GB/T1992硅抛光片表面浆拉测试方法 GB/T 32278碳化硅单晶片平整度测试方法GJB 179A-1606 计数抽样检验程序及表GJB 5345 砷化镩抛光片规范. 3.1 总则砷化镓外延片应符合本规范输所有要求 3.2 设计、结构和工艺要求 3.2.1 结构与设计按本规范提交的产品应是经鉴定合格体产品DARDS除另有规定外，砷化镓外延片的类型主要包含：赝配高电子迁移率品体管外延片（PHEMT）、高电子迁移率晶体管外延片（HEMT）、金属半导体场效应品体管外延片（MESFET）、异质结双极晶体管外延片（HBT）、肖特基势垒二极管外延片（SBD）、PIN型材料：砷化镓外延片应生长缓冲层。 3.2.2 衬底砷化镓外延片应采用半绝缘砷化镓抛光片为衬底，衬底应符合GJB 5345的规定。 3.2.3 工艺砷化镓外延片应采用分子束外延（MBE）技术或者金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术生长。 4.4.4 合格判据若受试样品通过表5中各項检查，则鉴定检验合格；若有任何一项检验不符合表5规定时，则鉴定检验不合格。 4.4.5 鉴定合格资格保持为了保持合格资格，承制方应每12个月向签定机构提交一份按3.3~3.5和4.6规定的各项检验的报告。检验应采用在此期间生产的同一批次的样品。 4.5 质量一致性检验 4.5.1 通则质量一致性检验由A组检验组成，为逐批检验（即为产品交货检验）。 4.5.2 检验批的组成通常由相同设备、相同工艺、同一生产周期连续生产的同一标称尺寸和特性的砷化镓外延片一次性提交构成一个检验批。 4.5.3 检验项目砷化镓外延片批次检验项目见表6. 4.5.4 抽样方案除另有规定外，A1组检验项目为非破坏性检验，按GJB 179A-1996的一般检验水平I1的一次正常抽样方案抽取，可接受质量水平（AQL）应符合表6的规定。A2组检验为破坏性检验采用固定抽样方案2 （0）进行.