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SiC MOSFET隔离栅极驱动器应用笔记
资料介绍
本文介绍了一种隔离栅极驱动器的实现，适用于在各种应用中测试和评估SiC MOSFET。此设计取代了本应用笔记的先前版本，并包含新的增强功能。增强功能如下：
•电路板已经扩展，现在可以使用2瓦特和1瓦特的DC-DC转换器。这样可以驱动更大的MOSFET或以更高的频率驱动更小的MOSFET。
•蠕变/撞击间隙显着增加。
•为光隔离器增加了一个单独的调节器。当需要非隔离操作时，这允许更简单地绕过DC-DC转换器。
•输出电阻网络已通过额外的二极管进行了修改，可以单独优化开启和关闭转换。
增强型栅极驱动器的俯视图和仰视图如图1和图2所示。增强的蠕变距离通过印刷电路板中的凹槽实现。由于在设置输出网络时增加了灵活性，因此未填充某些组件。
部分文件列表
| 文件名 | 大小 |
| sic_mosfet_isolated_gate_driver.pdf | 401K |
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