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基于源级隔离的反相器SET敏感面积分析
资料介绍
首先，纳米CMOS 器件中寄生双极晶体管效应在电荷收集过程中的作用凸显。在PMOS中的寄生双极效应和NMOS中的反向寄生双极效应成为了SET重要的电荷收集机理[9]。因此对SET的加固必须重点考虑抑制PMOS的寄生双极效应，并重点利用NMOS的反向双极效应。学者们提出了多种不同的SET加固技术：通过冗余结构（比如三模冗余电路，TAG单元）对产生的SET进行过滤就是一种常用的方法[6][7][8]。但是这些方法的性能开销取决于所要过滤的SET脉冲宽度，如果脉冲宽度过大，性能损耗将无法接受。有效降低SET脉冲宽度成为对SET加固的首选技术。SET脉冲宽度由载流子的漂移、扩散以及双极效应的物理机制决定，由于PMOS的双极效应非常严重，所以，对PMOS而言，有效抑制双极效应成为P-hit SET加固的首选。
PMOS的源极隔离技术打破了PMOS的寄生双极晶体管的结构，有效地抑制了寄生双极效应，减少了漏极收集的电荷量，SET脉冲宽度明显降低。
众所周知，SET已经成为引发高速数字CMOS集成电路软错误率的主要来源。随着工艺尺寸的缩减，流水线深度不断增加，导致逻辑屏蔽效应逐渐减弱；门延迟的减少，导致电气屏蔽效应衰减SET的能力减弱；时钟频率的增加使得SET被俘获的概率在增加。所以在纳米工艺下，SET导致的软错误率将起主导作用。
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| 张世永——基于源级隔离的反相器SET敏感面积分析（07）.docx | 275K |
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