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现代接口保护概念、 测试和仿真 设计工程师指南
资料介绍
通过缩小硅片的尺寸，可将更复杂的电子元件压缩到狭小空间内。随着这些新硅片工艺氧化层变得越来越薄，嵌入式FET的栅极因此更易受到浪涌事件的影响。必须要考虑因静电放电(ESD)造成的峰值电压高达30 kV且总脉冲宽度约为100 ns的高压事件，以及具有大约60 μs较长脉冲宽度且极端电压电平较小的浪涌事件。
设计师通常不再依赖于系统芯片的内部ESD保护结构。在大多数ESD安全环境下，内部ESD保护足以在组装过程中保护元件。但它无法防范在现场发生的ESD事件。外部保护不应被视为是奢求，也不应被忽视。
对于计算、消费电子和移动产品，在需要短时间内传输或复制大量数据的应用市场，以超高速接口产品为主流。汽车行业引入了许多通过网络连接的电子控制单元(ECU)，而长电缆中发生高电流切换、负载突降或冷车启动造成电压变化等都可能发生ESD放电和浪涌事件，从而影响这些控制单元。
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| 文件名 | 大小 |
| Nexperia_document_book_ESDApplicationHandbook_CHN.pdf | 10M |
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2021-08-01 15:16:05baotong1967
很实用