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MOSFET 栅极驱动电路
资料介绍
常规的双极晶体管是电流驱动器件，而 MOSFET 是电压驱动器件。
图 1.1 所示为双极晶体管。要在集电极中产生电流，必须在基极端子和发射极端子之间施加电流。图1.2 所示为 MOSFET，在栅极端子和源极端子之间施加电压时，MOSFET 在漏极中产生电流。
MOSFET 的栅极是一层二氧化硅。由于该栅极与源极隔离，向栅极端子施加直流电压理论上不会在栅极中产生电流（在栅极充电和放电的瞬态产生的电流除外）。实践中，栅极中会产生几纳安的微弱电流。当栅极端子和源极端子之间无电压时，由于漏源极阻抗极高，因此漏极中除泄漏电流之外无电流
部分文件列表
| 文件名 | 大小 |
| MOSFET-Gate-Drive-Circuit-Application-Notes_EN_36267-CN.pdf | 1M |
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