推荐星级：
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
国产碳化硅MOS 应用设计选型指南
资料介绍
SIC MOSFET是新兴起的第三代半导体材料，是一种宽禁带半导体（禁带宽度＞2eV，而SI禁带宽度仅为1.12eV），因其具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点，适用于高温、高频、大功率等应用场合。
部分文件列表
| 文件名 | 大小 |
| 国产碳化硅MOS_应用设计选型指南.pdf | 4M |
全部评论(0)