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LQ20N200CQ-汽车

更新时间：2019-09-26 15:05:34 大小：508K 上传用户：21ic子站宣传员查看TA发布的资源 标签：Qspeed汽车认证二极管 下载积分：0分评价赚积分（如何评价?）打赏收藏评论(0) 举报

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用于音频汽车应用的200 V，20 A共阴极二极管

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LQ20N200CQ

Qspeed^™Automotive Family

200 V, 20 A Common-Cathode Diode for

Audio Automotive Applications

Product Summary

General Description

This device has the lowest Q_RRof any 200 V

Silicon diode. Its recovery characteristics

increase efficiency, reduce EMI and eliminate

snubbers.

I_F(AVG)per diode

V_RRM

200

48.4

3.29

0.34

Q_RR(Typ at 125 °C)

I_RRM(Typ at 125 °C)

Softness t_b/t_a(Typ at 125 °C)

Applications

• Automotive

• AEC-Q101 qualified

Pin Assignment

• Fab, assembly and test certified to IATF 16949

• ESD HBM classification H0

Features

• Low Q_RR, Low I_RRM, Low t_RR

• Soft recovery

TO-252 DPAK

LQ20N200CQ

Benefits

• Increases efficiency

• Eliminates need for snubber circuits

• Reduces EMI filter component size and count

• Enables extremely fast switching

RoHS Compliant

Package uses Lead-free plating and “Green” mold

compound Halogen free per IEC 61249-2-21.

Absolute Maximum Ratings

Absolute maximum ratings are the values beyond which the device may be damaged or have its useful life impaired. Functional

operation under these conditions is not implied.

Symbol Parameter

Conditions

Rating

Units

V_RRM

Peak repetitive reverse voltage

T_J= 25 °C

200

I_F(AVG)

Average forward current

Per Diode, T_J= 150 °C, T_C= 124 °C

Per Device, T_J= 150 °C, T_C= 124 °C

Per Diode, 60 Hz, ½ cycle

I_FSM

Non-repetitive peak surge current

100

Per Diode, ½ cycle of t = 28 µs

Sinusoid, T_C= 25 °C

350

T_J

Operating junction temperature range

Storage temperature

–40 to 150

–55 to 150

300

°C

T_STG

Lead soldering temperature

Power dissipation

Leads at 1.6mm from case, 10 sec

T_C= 25 °C

P_D

41.7

Thermal Resistance

Symbol Resistance from:

Conditions

Rating

Units

Per Diode

Per Device

3.0

1.5

°C/W

R_θJC

Junction to case

www.power.com

March 2019

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