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长鑫LPDDR6 12800Mbps国产高端移动内存.docx
资料介绍
长鑫LPDDR6——12800Mbps国产高端移动内存的全球首发竞赛
摘要
2026年，长鑫存储自主研发的LPDDR6芯片研发验证已接近尾声，设计速率达12800Mbps，有望在2026年下半年实现全球首发量产导入，与SK海力士的LPDDR6量产时间窗口几乎重合。这意味着在下一代移动内存芯片的量产竞赛中，中国企业已与韩国头部厂商并驾齐驱。本文从LPDDR6技术规格、长鑫进展、全球竞争格局与产业意义等维度，系统分析这一里程碑事件。
一、LPDDR6技术规格
LPDDR6是JEDEC于2024年发布的最新移动内存标准，带宽较LPDDR5X翻两倍以上，专为AI手机、平板等场景设计。长鑫LPDDR6关键参数：设计速率12800Mbps，与SoC协同基础速率10667Mbps，颗粒容量16Gb，芯片容量16GB，1295 Ball POP封装。
二、长鑫进展
长鑫LPDDR6已完成前期核心验证流程，包括软硬件兼容性、整机系统稳定、性能功耗平衡、结构机械耐久等多维度极限测试。2026年3月已将样品送至核心客户，有望2026年下半年实现全球首发量产导入。
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| 长鑫LPDDR6_12800Mbps国产高端移动内存.docx | 37K |
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