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快速瞬态响应无片外电容ldo研究与设计

更新时间:2019-11-23 09:34:46 大小:13M 上传用户:sun2152查看TA发布的资源 标签:快速瞬态响应电容ldo 下载积分:0分 评价赚积分 (如何评价?) 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

本文设计了一款无片外电容LDO,主要提升其瞬态特性与稳定性,给出了详细的设计流程,分别对误差放大器、调整管、瞬态加强电路进行优化与设计。这些优化设计t有效提高了无片外电容的稳定性,降低了芯片失效与逻辑混乱的风险.

研究了可以提高瞬态响应的方法。通过分析几类误差放大器结构特点,选择合适结构对参数进行优化与设计,通过提高增益与摆率来加强瞬态响应。论文研究了功率管类型,并提出本文设计方案,通过理论推导,对功率管参数进行优化。

论文研究了无片外电容LDO的瞬态特性。本文首先分析传统LDO片外大电容作用,为无片外电容LDO研究做理论基础,重点研究了无片外电容LDO瞬态特性。针对影响瞬态特性的重要因素,提出一种无片外电容LDO瞬态加强电路结构。该方法在负载变化时,会检测到负载变化情况以电压形式输出,再通过RC微分电路将检测电压信号变成尖峰脉冲,通过瞬间导通MOS管转换为电流信号,最后叠加到误差放大器的尾电流上,通过加强误差放大器的摆率来提高功率管充放电速度,减小过冲电压。论文研究了LDO的稳定性,通过对本文的结构进行小信号分析,推导零点与极点公式,在系统的第一个主极点后面采用RC电路进行左半平面零点补偿,增加相位裕度提高稳定性。

最后,本文基于0.5umBICMOS工艺进行设计,通过Hspice平台仿真验证,结果表明,负载电流经过1us从1mA-100mA变化,下冲145mv,经过1us从100mA-1mA变化,过冲为129mV.在静态工作时,静态功耗为50pA,负载响应时间最大仅为1.3us,输入信号3dB带宽为1668Hz,0dB带宽高达30megHz,且整个补偿电容仅为4pF.


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