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快速瞬态响应无片外电容ldo研究与设计

更新时间：2019-11-23 09:34:46 大小：13M 上传用户：sun2152查看TA发布的资源 标签：快速瞬态响应电容ldo 下载积分：0分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

本文设计了一款无片外电容LDO，主要提升其瞬态特性与稳定性，给出了详细的设计流程，分别对误差放大器、调整管、瞬态加强电路进行优化与设计。这些优化设计t有效提高了无片外电容的稳定性，降低了芯片失效与逻辑混乱的风险.

研究了可以提高瞬态响应的方法。通过分析几类误差放大器结构特点，选择合适结构对参数进行优化与设计，通过提高增益与摆率来加强瞬态响应。论文研究了功率管类型，并提出本文设计方案，通过理论推导，对功率管参数进行优化。

论文研究了无片外电容LDO的瞬态特性。本文首先分析传统LDO片外大电容作用，为无片外电容LDO研究做理论基础，重点研究了无片外电容LDO瞬态特性。针对影响瞬态特性的重要因素，提出一种无片外电容LDO瞬态加强电路结构。该方法在负载变化时，会检测到负载变化情况以电压形式输出，再通过RC微分电路将检测电压信号变成尖峰脉冲，通过瞬间导通MOS管转换为电流信号，最后叠加到误差放大器的尾电流上，通过加强误差放大器的摆率来提高功率管充放电速度，减小过冲电压。论文研究了LDO的稳定性，通过对本文的结构进行小信号分析，推导零点与极点公式，在系统的第一个主极点后面采用RC电路进行左半平面零点补偿，增加相位裕度提高稳定性。

最后，本文基于0.5umBICMOS工艺进行设计，通过Hspice平台仿真验证，结果表明，负载电流经过1us从1mA-100mA变化，下冲145mv，经过1us从100mA-1mA变化，过冲为129mV.在静态工作时，静态功耗为50pA，负载响应时间最大仅为1.3us，输入信号3dB带宽为1668Hz，0dB带宽高达30megHz，且整个补偿电容仅为4pF.


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