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IGBT热损耗计算

更新时间：2019-12-11 10:54:09 大小：2M 上传用户：xuzhen1查看TA发布的资源 标签：igbt热损耗 下载积分：0分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

IGBТ

一般来说，IGBT的正向截止损耗和驱动回路的损耗在总损耗中所占的比例较小，可以忽路不计。

通态损耗（P）和下列因素有关：

1，负载电流（由输出特性VCEat=f（ic，Voe）所给定）；

2.结温

3.占空比。

在驱动参数一定的情况下，开通和关断损耗（Pat，Por）和下列因素有关：

1，负载电流；

2.直流母线电压；

3.结温；

4，开关频率。

IGBT的总功耗：ProT= Por + PoT + PattT续流二极管：一般来说，二极管的截止损耗在总功耗中所占的比例较小，可以忽略不i。唯一的例外是肖特基二极管，它的热态截止电流较高。

开通损耗产生于正向恢复过程之中。对于快速二极管来说，这一部分功耗通常也可以忽略不计。

通态损耗（PrD）和下列因素有关：


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