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IGBT热损耗计算
资料介绍
IGBТ
一般来说，IGBT的正向截止损耗和驱动回路的损耗在总损耗中所占的比例较小，可以忽路不计。
通态损耗（P）和下列因素有关：
1，负载电流（由输出特性VCEat=f（ic，Voe）所给定）；
2.结温
3.占空比。
在驱动参数一定的情况下，开通和关断损耗（Pat，Por）和下列因素有关：
1，负载电流；
2.直流母线电压；
3.结温；
4，开关频率。
IGBT的总功耗：ProT= Por + PoT + PattT续流二极管：一般来说，二极管的截止损耗在总功耗中所占的比例较小，可以忽略不i。唯一的例外是肖特基二极管，它的热态截止电流较高。
开通损耗产生于正向恢复过程之中。对于快速二极管来说，这一部分功耗通常也可以忽略不计。
通态损耗（PrD）和下列因素有关：
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| IGBT热损耗计算.pdf | 2M |
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