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IGBT功率损耗计算
资料介绍
目的：对Psim 中IGBT 热模型功率计算方法进行验证，以便后期使用参考。
方法： (1) 根据器件手册计算；
(2) 根据英飞凌官方提供的计算工具核对.
条件：经典的Buck 电路；
输入电压： 1000V；
输出电压： 500V；
输出电感： 1mH；
负载电阻： 5Ω；
开关频率： 5kHz
占空比： 0.5 ；
IGBT：英飞凌FF300R17ME4。
1. 手工计算IGBT损耗
(1) 计算IGBT 导通损耗。
手册中给定的器件FF300R17ME3的IGBT导通电流与压降关系如图3 所示。
图 3 IGBT 导通电流与压降
IGBT 导通时，从上述条件，可知，负载电压500V，负载平均电流100A，对应器件压降
1.4V ，占空比为0.5 ，平均导通损耗Pcond=100A*1.4V*0.5=70W 。
(2) 计算IGBT 开关损耗。
手册中给定的IGBT 开通和关断损耗与电流关系如图4 所示。
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资料：bitboy
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