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高频IGBT模块的封装技术

更新时间:2019-12-01 10:30:44 大小:387K 上传用户:xuzhen1查看TA发布的资源 标签:高频igbt模块封装 下载积分:0分 评价赚积分 (如何评价?) 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

绝缘栅型双极晶体管(IGBT)是新一代MOs控制的功率半导体器件。它是由高频功率器件MOSFET与双极型晶体管复合而成的,因此具有驱动功率小、驱动容易、集电极电流大、正向阻断电压高、饱和电压低、工作频率高、开关安全工作区宽且稳定、无二次击穿等特点。通常IGBT以模块的封装形式广泛用于变频调速、逆变焊机、UPS电源,以及通讯电源等领域。如何真正地发挥GBT芯片的优良特性,关键是模块内部结构的设计、封装工艺的实施及可靠性的保证。

本文采用计算机辅助设计技术,对IGBT模块的内部结构进行了优化设计。现已分别设计出 1AP-3T型(50A.75A、100A,600~

1200V)和 DIAP-3T(100A,150A,200A,

600~1200V)6种规格的两单元1GBT系列模块。这两种系列基本上能够满足国内应用领域所需要的IGBT模块规格要求,其设计外形符合国际通用标准,且结构新颖,具有分布电感小,对称性好,结构合理等特点。该模块采用了国际流行的DBC(Diret Bond Copper)绝缘导热基板,不仅导热效果好,而且热阻小。经试验,已探索出了一套比较完善的封装工艺方法。该法用于尔批试制的模,,经用户使用a致i为电、热性能良好,可靠性高。


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