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高频IGBT模块的封装技术
资料介绍
绝缘栅型双极晶体管（IGBT）是新一代MOs控制的功率半导体器件。它是由高频功率器件MOSFET与双极型晶体管复合而成的，因此具有驱动功率小、驱动容易、集电极电流大、正向阻断电压高、饱和电压低、工作频率高、开关安全工作区宽且稳定、无二次击穿等特点。通常IGBT以模块的封装形式广泛用于变频调速、逆变焊机、UPS电源，以及通讯电源等领域。如何真正地发挥GBT芯片的优良特性，关键是模块内部结构的设计、封装工艺的实施及可靠性的保证。
本文采用计算机辅助设计技术，对IGBT模块的内部结构进行了优化设计。现已分别设计出 1AP-3T型（50A.75A、100A，600~
1200V）和 DIAP-3T（100A，150A，200A，
600~1200V）6种规格的两单元1GBT系列模块。这两种系列基本上能够满足国内应用领域所需要的IGBT模块规格要求，其设计外形符合国际通用标准，且结构新颖，具有分布电感小，对称性好，结构合理等特点。该模块采用了国际流行的DBC（Diret Bond Copper）绝缘导热基板，不仅导热效果好，而且热阻小。经试验，已探索出了一套比较完善的封装工艺方法。该法用于尔批试制的模，，经用户使用a致i为电、热性能良好，可靠性高。
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资料：bitboy
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