积分商城

最新搜索： ispLEVER ESAM sonar STM8S003 BRIGHTEK 电解电容封装库
您现在的位置是：首页 > 技术资料 > 高频IGBT模块的封装技术
推荐星级：
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5

高频IGBT模块的封装技术

更新时间：2019-12-01 10:30:44 大小：387K 上传用户：xuzhen1查看TA发布的资源 标签：高频igbt模块封装 下载积分：0分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

绝缘栅型双极晶体管（IGBT）是新一代MOs控制的功率半导体器件。它是由高频功率器件MOSFET与双极型晶体管复合而成的，因此具有驱动功率小、驱动容易、集电极电流大、正向阻断电压高、饱和电压低、工作频率高、开关安全工作区宽且稳定、无二次击穿等特点。通常IGBT以模块的封装形式广泛用于变频调速、逆变焊机、UPS电源，以及通讯电源等领域。如何真正地发挥GBT芯片的优良特性，关键是模块内部结构的设计、封装工艺的实施及可靠性的保证。

本文采用计算机辅助设计技术，对IGBT模块的内部结构进行了优化设计。现已分别设计出 1AP-3T型（50A.75A、100A，600~

1200V）和 DIAP-3T（100A，150A，200A，

600~1200V）6种规格的两单元1GBT系列模块。这两种系列基本上能够满足国内应用领域所需要的IGBT模块规格要求，其设计外形符合国际通用标准，且结构新颖，具有分布电感小，对称性好，结构合理等特点。该模块采用了国际流行的DBC（Diret Bond Copper）绝缘导热基板，不仅导热效果好，而且热阻小。经试验，已探索出了一套比较完善的封装工艺方法。该法用于尔批试制的模，，经用户使用a致i为电、热性能良好，可靠性高。


部分文件列表

文件名 大小
高频IGBT模块的封装技术.pdf 387K

【关注视频号领20积分】   【关注公众号立即送20积分】

部分页面预览

（完整内容请下载后查看）

相关下载

全部评论(0)

暂无评论
评论赚积分>>

上传资源 上传优质资源有赏金

热门标签

更多>>

最新上传

  • 打赏
  • 30日榜单

热门下载

推荐下载

本站上的所有资源均为源于网上收集或者由用户自行上传，仅供学习和研究使用，无任何商业目的，版权归原作如有侵权，请 来信指出，本站将立即改正。

ICP许可证号：京ICP证070360号     21IC电子网 2000- 版权所有

京ICP备11013301号

京公网安备 11010802024343号