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IGBT驱动电路M57962L的剖析
资料介绍
IGBT是一种新型功率器件，即绝缘栅极双极集体管（Ko-
lated GateBipla Transistor，上世纪末出现的一种复合全控型电压驱动式电力电子器件。它将GTR和MOSFET的优点集于一身：输入阻抗高，开关频率高，工作电流大等，在变频器、开关电源，弧焊电源等领域得到广泛地应用。
IGBT具有一个2.5V-5.0V的阀值电压，有一个容性输入阻抗，因此1IGBT对栅极电荷集聚很敏感。故驱动电路必须可靠，要保证有一条低阻抗值的放电回路，同时驱动电源的内阻一定要小，即栅极电容充放电速度要快，以保证VGE有较陡的前后沿，使IGBT的开关损耗尽量要小。
在IGBT承受短路电流时，如果能及时关断它，则可以对IGBT进行有效保护。识别IGBT是否过流的方法之一，就是检测其管压降VCE的大小.IGBT在开通时，若VCE过高则发生短路，立即关断1BT.在过流关断1GBT时，由于1GBT中电流幅度大，若快速关断时，必将产生Li/d过高，在1GBT两端产生很高的尖峰电压，极易损坏1GBT，因此就产生了“软慢关断”方法.M57962驱动电路就是依照上述理论进行设计的。
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资料：bitboy
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2021-04-27 19:25:30蚂蚁666
好