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压电薄膜传感器压力感应情况如何
资料介绍
因为压电薄膜传感器的电介质的击穿场强是强度参数，并且在压电薄膜传感器的膜中不可避免地存在各种缺陷，所以压电膜的击穿场强具有相当大的分散性;电介质介质的击穿理论，对于完整的薄膜，随着薄膜厚度的减小，击穿场强应逐渐增加。
然而，在实践中，由于压电薄膜传感器的膜含有许多缺陷，因此厚度越小，缺陷的影响越显着。因此，当厚度减小到一定值时，膜的击穿场强度急剧下降。对于压电薄膜传感器薄膜击穿场强，除了薄膜本身外，在测试过程中还存在电极边缘的影响。膜越厚，电极边缘处的电场越不均匀，因此膜的厚度增加，击穿场强度逐渐减小。
除了上述因素之外，压电薄膜传感器介电膜的击穿场强也取决于膜结构。对于压电薄膜，击穿场强度也取决于电场的方向，即就击穿场强而言它也是各向异性的。由于压电薄膜传感器多晶膜具有晶界，因此其击穿场强度低于非晶膜的击穿场强度。由于类似的原因，优先取向的压电薄膜传感器在晶粒取向方向上的穿透场强高于在垂直方向上的穿透场强。击穿场强度较低。
与其他介电压电薄膜传感器一样，压电薄膜的击穿场强也取决于外部因素，如电压波形、频率、温度和电极。因为压电薄膜的击穿场强与许多因素有关，所以相关文献中报道的击穿场强度对于同一薄膜通常不一致或甚至不同。例如，ZnO膜的击穿场强为0.01。 ~0.4MV / cm，AlN膜为0.5至6.0MV / cm。
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