积分商城

最新搜索： ide手册 WINCE 传感器 拼音输入 STM32CubeMX vee使用
您现在的位置是：首页 > 教程 > 碳化硅电力电子器件的发展现状分析
推荐星级：
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5

碳化硅电力电子器件的发展现状分析

更新时间：2016-09-21 10:19:14 大小：31K 上传用户：秋风式街球查看TA发布的资源 标签：碳化硅 下载积分：0分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(2) 举报

资料介绍

　SiC电力电子器件中，SiC二极管最先实现产业化。2001年德国Infineon公司率先推出SiC二极管产品，美国Cree和意法半导体等厂商也紧随其后推出了SiC二极管产品。在日本，罗姆、新日本无线及瑞萨电子等投产了SiC二极管。很多企业在开发肖特基势垒二极管（SBD）和JBS结构二极管。目前，SiC二极管已经存在600V~1700V电压等级和50A电流等级的产品。

部分文件列表

文件名 大小
碳化硅电力电子器件的发展现状分析.doc 31K

【关注B站账户领20积分】

相关下载

全部评论(2)

  • 2018-12-04 21:56:51davidsun111

    很不错 写的很棒

  • 2018-09-01 09:11:57rsp000

    挺好的额 ，建议去看看，有需要的可以下载，毕竟不要积分23333333333

评论赚积分>>

上传资源 上传优质资源有赏金

热门标签

更多>>

最新上传

  • 打赏
  • 30日榜单

热门下载

资料专题

推荐下载

本站上的所有资源均为源于网上收集或者由用户自行上传，仅供学习和研究使用，无任何商业目的，版权归原作如有侵权，请 来信指出，本站将立即改正。

ICP许可证号：京ICP证070360号     21IC电子网 2000- 版权所有

京ICP备11013301号

京公网安备 11010802024343号