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dU/ dt 引发的MOSFET 误导通分析
资料介绍
分析了MOSFET 误导通产生的原因, 分别从原理和理论推导两个方面作了分析, 主要考虑了开关管中寄生参数对开关特性的影响。通过求解误导通发生的条件, 得到哪些参数会导致误触发, 最后给出了仿真。文中还提出如何避免MOSFET 误导通产生, 以及改进方法, 对减少实际应用中MOSFET 破坏性损坏有一定意义
对高频的DC/ DC 转换器, 功率MOSFET 是一个关键的器件。快速的开关可以降低开关损耗, 但是在MOSFET 漏级上dU/ dt 也变得越来越高。然而, 高的dU/ dt 可能导致在没有正常的门极触发信号时MOSFET 开通, 这样会产生更多的功耗.
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| dU-dt引发的MOSFET误导通分析.pdf | 278K |
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