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DRAM IGZO 2T0C无电容架构3D DRAM新型存储单元方案.docx
资料介绍
DRAM IGZO 2T0C无电容架构——3D DRAM的新型存储单元方案
摘要
IGZO 2T0C（双晶体管零电容）架构是3D DRAM的重要技术探索方向，采用两个IGZO晶体管替代传统的1T1C结构，省去了制造难度极高的电容器。IGZO的超低漏电流使数据保持时间从传统DRAM的64ms提升至2900ms，刷新频率大幅降低。中科院微电子所首次实现4层堆叠IGZO 2T0C 3D DRAM，成果入选VLSI 2026。本文从2T0C原理、IGZO材料优势与产业化前景等维度，系统分析IGZO 2T0C无电容架构。
一、2T0C架构原理
IGZO 2T0C使用两个IGZO晶体管实现存储功能，省去了传统DRAM的电容器。第一个晶体管作为存储晶体管，利用栅极电容存储电荷；第二个晶体管作为读取晶体管，隔离存储节点与位线，实现非破坏性读取。
二、IGZO材料优势
· 极低漏电流：比硅低多个数量级，数据保持时间大幅延长
· 低温工艺兼容：可后道集成于逻辑芯片上方
· 优异的三维堆叠适配性：非晶态，均匀性好
· 透明性：可用于特殊应用场景
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| DRAM_IGZO_2T0C无电容架构3D_DRAM新型存储单元方案.docx | 37K |
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