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烧结银互连技术在高功率芯片散热中的应用.docx
资料介绍
烧结银互连技术在高功率芯片散热中的应用
一、引言
烧结银技术使用银粉在高温高压下烧结形成高导热连接层，导热率可达200W/mK以上，远高于传统焊料。烧结银在功率器件封装和高功率芯片散热中具有重要应用，可以大幅降低芯片到散热器的热阻，提高散热效率。
二、烧结银的基本原理
2.1 烧结过程
银粉在高温高压下发生烧结，银颗粒之间的接触面增大，形成连续的导热网络。烧结温度通常为200℃~300℃，压力为5~30MPa。
2.2 烧结银的微观结构
烧结银的微观结构由银颗粒和孔隙组成，孔隙率越低，导热率越高。优化烧结工艺参数可以降低孔隙率，提高导热率。
三、烧结银的导热性能
3.1 高导热率
烧结银的导热率可达200~300W/mK，是传统焊料（约50W/mK）的4~6倍。
3.2 低热阻
烧结银的厚度通常为20~50微米，热阻低至0.01~0.05mm²K/W。
四、烧结银的工艺
4.1 银膏印刷
将银膏通过丝网印刷或点胶方式涂布在待连接表面。
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