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面向存算一体芯片的模拟计算阵列中存算一体芯片技术全景与未来十年发展展望.docx
资料介绍
面向存算一体芯片的模拟计算阵列中存算一体芯片技术全景与未来十年发展展望
——从第1篇到第920篇的存算一体芯片技术史诗
引言
从第1篇到第920篇，我们系统构建了存算一体芯片技术的完整知识体系。从器件物理到系统架构，从制造工艺到封装测试，从电路设计到编译器优化，从AI存储系统到存算一体芯片，从产业生态到商业模式，从投资价值到风险分析，本系列文档构建了存算一体芯片技术的全景图。本文系统总结面向存算一体芯片的模拟计算阵列中存算一体芯片技术全景，并对未来十年技术发展进行展望。
知识体系总结
器件物理
存算一体芯片器件物理的知识体系：
1. 存储器件：ReRAM、PCM、MRAM、FeRAM、STT-MRAM、SOT-MRAM，从器件原理到特性优化。
2. 晶体管：FinFET、GAAFET、CFET、IGZO TFT，从器件结构到性能优化。
3. 存储单元：1T1R、1S1R、6T SRAM、8T SRAM、10T SRAM，从单元结构到读取稳定性。
制造工艺
存算一体芯片制造工艺的知识体系：
1. 光刻：EUV光刻、High-NA EUV、多重图形化、纳米压印光刻、掩模版缺陷检测。
2. 刻蚀：RIE、DRIE、ALE、低温刻蚀、脉冲刻蚀、等离子体刻蚀。
3. 沉积：PECVD、ALD、PEALD、空间ALD、选择性ALD、分子层沉积。
4. 平坦化：CMP、Si-CMP、Cu-CMP、STI-CMP，从工艺优化到缺陷控制。
5. 掺杂：离子注入、等离子体注入、固相扩散、激光退火、快速热退火。
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