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面向存储芯片的先进工艺中晶圆级测试与探针卡技术.docx
资料介绍
面向存储芯片的先进工艺中晶圆级测试与探针卡技术
——从探针到探针卡的晶圆级电性测试方案
引言
晶圆级测试是存储芯片制造中筛选良品芯片的关键环节。在DRAM和NAND闪存的晶圆测试中，探针卡将测试设备的信号传输到晶圆上的芯片，实现芯片的电气测试。探针卡的设计直接影响测试的精度、效率和成本。在先进工艺节点中，芯片的I/O间距缩小至40μm以下，探针卡的制作难度显著增大。本文系统分析面向存储芯片的先进工艺中晶圆级测试与探针卡技术。
晶圆级测试的基本原理
测试流程
晶圆级测试的流程：
1. 晶圆装载：将晶圆装载到探针台上，通过真空吸附固定在晶圆卡盘上。
2. 晶圆对准：通过光学对准系统，将晶圆上的芯片与探针卡上的探针对准。
3. 探针接触：将探针卡降下，使探针与芯片的焊盘接触，接触电阻需小于1Ω。
4. 电性测试：通过测试设备对芯片进行电性测试，包括功能测试、参数测试和可靠性测试。
5. 晶圆标记：在测试完成后，将不良芯片标记为不良品，便于后续的封装筛选。
测试设备
晶圆级测试的测试设备：
1. 探针台：提供晶圆的装载、对准和移动功能，探针台的精度需优于±1μm。
2. 测试头：提供测试信号的生成和测量功能，测试头的通道数需满足芯片的I/O数量。
3. 探针卡：将测试头与芯片焊盘连接，探针卡的探针需与焊盘精确接触。
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