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从双脉冲到动态RDS(on)：GaN器件动态参数测试全解析
资料介绍
GaN器件凭借高速开关和低损耗优势，正加速应用于数据中心电源、新能源汽车OBC/DC-DC及高频电源等领域，但ns级开关瞬态也对测试带宽、探头选型、寄生参数和通道时延提出了更高要求。本文结合泰克高分辨率示波器及专用探头方案，从动态双脉冲测试、相位延迟校准、寄生电感量化，到栅极电荷及动态RDS(on)测试，系统解析GaN器件动态参数测试中的关键方法与实际测试思路，为器件研发、可靠性验证及第三方检测提供参考。
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| 文件名 | 大小 |
| GaN器件测试方案-泰克示波器与探头.pdf | 2M |
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