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存储芯片的总线架构与互联拓扑优化.docx
资料介绍
存储芯片的总线架构与互联拓扑优化
1 引言
总线架构和互联拓扑是存储芯片数据传输效率的决定性因素。在DRAM中，DDR5的Fly-by拓扑和DDR6的PAM-3信令直接影响信号完整性；在NAND中，ONFI和Toggle接口的多通道并行决定带宽；在HBM中，TSV阵列的互连密度决定带宽密度。本章系统分析存储芯片的总线架构演进、互联拓扑优化方法和信号完整性设计。
2 DRAM总线架构
2.1 DDR5 Fly-by拓扑
DDR5采用Fly-by拓扑，命令/地址信号从控制器顺序经过各DRAM芯片，在终端端接终止。Fly-by拓扑减少了反射和信号时序偏差，支持更高的数据速率。
2.2 DDR信令演进
DDR5采用单端数据信令，DDR6正在探索PAM-3（三电平脉冲幅度调制）信令，每个符号传输1.58比特，在相同带宽下数据速率提升约58%。GDDR7已采用PAM-3信令，目标速率超32Gbps/pin。
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