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面向存算一体芯片的模拟计算阵列中存算一体芯片的可靠性筛选与早期失效检测.docx

更新时间：2026-09-17 08:42:08 大小：38K 上传用户：潇潇江南查看TA发布的资源 标签：存算一体芯片可靠性筛选早期失效检测老化测试在线监测 下载积分：2分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

面向存算一体芯片的模拟计算阵列中存算一体芯片的可靠性筛选与早期失效检测

——从老化测试到在线监测的存算一体芯片可靠性保障

引言

可靠性筛选与早期失效检测是存算一体芯片量产中确保可靠性的关键环节。在存算一体芯片中，存储单元的电导漂移、模拟电路的参数退化和互连的电迁移退化，可能导致芯片在早期失效。老化测试通过加速芯片的退化过程，筛选出早期失效的芯片。在线监测通过在芯片运行过程中实时监测关键参数，检测早期失效的迹象。本文系统分析面向存算一体芯片的模拟计算阵列中存算一体芯片的可靠性筛选与早期失效检测。

早期失效机理

存储单元早期失效

存算一体芯片中存储单元的早期失效机理：

1. 电导漂移：在芯片使用的早期，存储单元的电导漂移较大，在1000小时运行后，电导变化可能达到5%至10%。

2. 耐久性退化：在芯片使用的早期，存储单元的耐久性退化较快，在1000次编程/擦除后，电阻窗口缩小约10%至20%。

3. 数据保持退化：在芯片使用的早期，存储单元的数据保持退化较快，在1000小时高温存储后，数据保持时间缩短约10%至20%。


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